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SSM3K78FS	文件：253.86 Kbytes Page：9 Pages	丝印：S3；Package：SSM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • High-Speed Switching • Analog Switches Features (1) 1.2 V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 9.0 Ω (max) (@VGS = 1.2 V, ID = 10 mA) RDS(ON) = 3.1 Ω (max) (@VGS = 1.5 V, ID = 20 mA) RDS(ON) = 2.4 Ω (max) (@VGS = 1.8 V, ID = 150 mA) RDS(ON) = 1.6 Ω (max) (@V 文件：253.86 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K78MFV	文件：287.11 Kbytes Page：9 Pages	丝印：S3；Package：VESM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • High-Speed Switching • Analog Switches Features (1) 1.2 V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 9.0 Ω (max) (@VGS = 1.2 V, ID = 10 mA) RDS(ON) = 3.1 Ω (max) (@VGS = 1.5 V, ID = 20 mA) RDS(ON) = 2.4 Ω (max) (@VGS = 1.8 V, ID = 150 mA) RDS(ON) = 1.6 Ω (max) (@V 文件：287.11 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N78FE	文件：287.01 Kbytes Page：9 Pages	丝印：S3；Package：ES6；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • High-Speed Switching • Analog Switches Features (1) 1.2 V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 9.0 Ω (max) (@VGS = 1.2 V, ID = 10 mA) RDS(ON) = 3.1 Ω (max) (@VGS = 1.5 V, ID = 20 mA) RDS(ON) = 2.4 Ω (max) (@VGS = 1.8 V, ID = 150 mA) RDS(ON) = 1.6 Ω (max) (@V 文件：287.01 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6N78FU	文件：308.23 Kbytes Page：9 Pages	丝印：S3；Package：US6；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • High-Speed Switching • Analog Switches Features (1) 1.2 V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 9.0 Ω (max) (@VGS = 1.2 V, ID = 10 mA) RDS(ON) = 3.1 Ω (max) (@VGS = 1.5 V, ID = 20 mA) RDS(ON) = 2.4 Ω (max) (@VGS = 1.8 V, ID = 150 mA) RDS(ON) = 1.6 Ω (max) (@V 文件：308.23 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1N914BWS	文件：1.41623 Mbytes Page：2 Pages	丝印：S3；200mW Surface Mount Switching Didoe 文件：1.41623 Mbytes 页数：2 Pages	JUXING 广东钜兴电子	JUXING
ECCSR0013-MH1	文件：323.71 Kbytes Page：4 Pages	丝印：S3；Package：SOD-123H1；1.0A Surface Mount Super Fast Rectifiers-50-600V 文件：323.71 Kbytes 页数：4 Pages	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
ECCSR0013-MH1-H	文件：323.71 Kbytes Page：4 Pages	丝印：S3；Package：SOD-123H1；1.0A Surface Mount Super Fast Rectifiers-50-600V 文件：323.71 Kbytes 页数：4 Pages	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
MBRX130	文件：502.17 Kbytes Page：4 Pages	丝印：S3；Package：SOD-123FL；Schottky Barrier Rectifiers 文件：502.17 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
PJM138NSA	文件：2.70473 Mbytes Page：6 Pages	丝印：S3；Package：SOT-23；N- Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：2.70473 Mbytes 页数：6 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
SD101AWS	文件：195.56 Kbytes Page：3 Pages	丝印：S3；Package：SOD-323；Schottky Barrier Diode 文件：195.56 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN

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产品属性

产品编号：
1N914BWS
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
150mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
4pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-90，SOD-323F
供应商器件封装：
SOD-323F
工作温度 - 结：
150°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F

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更多S3供应商更新时间2025-10-31 17:43:00

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