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S1MSP1M	文件：567.15 Kbytes Page：5 Pages	1.0A SURFACE MOUNT STANDARD RECOVERY RECTIFIER PowerDI123 Features - Glass Passivated Die Construction - Ideally Suited for Automated Assembly - Low Profile Design, Package Height Less than 1.0mm - Low Reverse Leakage Current - Exceptional Thermal Transfer Based on Exposed Heat Sink on the Underside of the Device - Lead-Free Finish; RoHS Compliant 文件：567.15 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
S1MSP1M-7	文件：567.15 Kbytes Page：5 Pages	丝印：G20；Package：PowerDI123；1.0A SURFACE MOUNT STANDARD RECOVERY RECTIFIER PowerDI123 Features - Glass Passivated Die Construction - Ideally Suited for Automated Assembly - Low Profile Design, Package Height Less than 1.0mm - Low Reverse Leakage Current - Exceptional Thermal Transfer Based on Exposed Heat Sink on the Underside of the Device - Lead-Free Finish; RoHS Compliant 文件：567.15 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
S1MSP1M	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.0A SURFACE MOUNT STANDARD RECOVERY RECTIFIER The DIODES™ S1MSP1M is a rectifier packaged in the PowerDI®123 package. Providing high-reverse breakdown voltage and high-current capability for standard rectification, this device is ideal for use in applications such as:\n\n\nSwitching-mode power-supply applications\nDC-DC converter applications\n	Diodes 美台半导体	Diodes
RS1MSP1	文件：425.2 Kbytes Page：5 Pages	1.0A SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER 文件：425.2 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
S1MSP1	文件：474.4 Kbytes Page：5 Pages	1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER POWERDI123 Features Glass Passivated Die Construction Ideally Suited for Automated Assembly Low Profile Design, Package Height Less than 1.0mm Low Reverse Leakage Current Exceptional Thermal Transfer Based on Exposed Heat Sink on the Underside of the Device Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 文件：474.4 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

AEC Qualified：
No
Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Product Type：
Standard Rectifier
Configuration：
Single
Power Rating (W)：
1.1 W
MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A)：
1 A
Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)：
25 A
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
1000 V
Forward Voltage Drop VF (V)：
1.1 V
@ IF (A)：
1 A
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
10 µA
@ VR (V)：
800 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
1200 ns
Packages：
PowerDI123

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多S1MSP1M供应商更新时间2025-9-30 15:49:00

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