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RUR020N02	文件：235.86 Kbytes Page：5 Pages	丝印：TL；Package：TSMT3；1.5V Drive Nch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：235.86 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RUR020N02	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.5V Drive Nch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •低电压1.5V驱动型 Nch MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RUF020N02	文件：235.08 Kbytes Page：5 Pages	1.5V Drive Nch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：235.08 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RUR1S1560S9A	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263-2	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市品优时代科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
RURD4120S	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	FAIRCHILD 仙童半导体上传：深圳市广弘电子有限公司	FAIRCHILD

技术参数

封装：
TSMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-346T
JEITA Package：
SC-96
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
20
Drain Current ID[A]：
2
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
0.17
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.095
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.17
Total gate charge Qg[nC]：
2
Power Dissipation (PD)[W]：
1
Drive Voltage[V]：
1.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	RUR020N02	ROHM	19+	SOT-23	17000		询价
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