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RUF020N02	文件：235.08 Kbytes Page：5 Pages	丝印：XK；Package：TUMT3；1.5V Drive Nch MOSFET ■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
RUF020N02	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.5V Drive Nch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。; •低电压1.5V驱动型 Nch MOSFET;	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
RUR020N02	文件：235.86 Kbytes Page：5 Pages	1.5VDriveNchMOSFET ■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
RUG-Z-1R00-0.1-TK1	文件：0 bytes Page：0 Pages	ISABELLENHUETTE/德国ISA SMD	ISABELLENHUETTE/德国ISA 上传：深圳市云美电子科技有限公司	ISABELLENHUETTE/德国ISA
RUH1H80R	文件：0 bytes Page：0 Pages	RUICHIPS TO-220	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司上传：深圳市晨豪科技有限公司

技术参数

封装：
TUMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-323T
JEITA Package：
SC-113A
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
20
Drain Current ID[A]：
2
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
0.17
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.095
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.17
Total gate charge Qg[nC]：
2
Power Dissipation (PD)[W]：
0.8
Drive Voltage[V]：
1.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=0.85)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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技术参数

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