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TPCF8201	文件：187.23 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.4S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) •Enhancement-mode:Vth=0.5to1.2V(VDS=10V,ID=200μA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：1.88033 Mbytes Page：8 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPCF8201	文件：232.71 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8201	文件：250.04 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8201	文件：248.63 Kbytes Page：7 Pages	PortableEquipmentApplications PortableEquipmentApplications MotorDriveApplications DC-DCConverterApplications •Lead(Pb)-Free •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=7.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(VDS=30V) •Enhancementmode:Vth=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8201	文件：314.31 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOS) LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs Smallfootprintduetosmallandthinpackage Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=22mΩ(typ.) Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=13S(typ.) Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=20V) Enha	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
VSC8201	文件：253.78 Kbytes Page：12 Pages	LANDISCRETETRANSFORMERMODULES LANFILTEREDCONNECTORS LANGIGABITICCROSSREFERENCE LAN10/100BASE-TXICCROSSREFERENCE LAN10BASE-TICCROSSREFERENCE	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
VSC8201	文件：487.57 Kbytes Page：21 Pages	SinglePort10/100/1000BASE-Tand1000BASE-XPHY Introduction ThispurposeofthisapplicationnoteinconjunctionwiththeVSC8201DatasheetistoprovideinformationtoassistinthedesignandlayoutoftheVSC8201GigabitEthernetTransceiver. PowerSupplyOrganizationandDecoupling TheVSC8201requiresa3.3vanda1.5vpowersu	VITESSE Vitesse Semiconductor Corporation	VITESSE

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