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TPC8119	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：206.95 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSV) Lithium-IonBatteryApplications LoadswitchApplications NotebookPCApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=10mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=24S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UPC8119T	文件：663.95 Kbytes Page：52 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Recommendedoperatingfrequency:f=100MHzto1.92GHz •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Lowcurrentconsumption:ICC=11mATYP.@VCC=3.0V •Gaincontrolvoltage:VAGC=0.6to2.4V(recommended) •Twotypesofgaincontrol:μPC8119T;VAGCupvs.Gaindown(Forw	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8119T	文件：371.8 Kbytes Page：40 Pages	-15dBmINPUT,VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8130TAandµPC8131TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto800MHzto1.5GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.TheseICsarelowerdistortionthanconventionalµPC8119T	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8119T	文件：550.61 Kbytes Page：52 Pages	VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8119TandµPC8120Taresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto100MHzto1.9GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.Twotypesofgaincontrolletuserschooseinaccordancewi	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8119T	文件：720.1 Kbytes Page：4 Pages	NECsVARIABLEGAINAMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC8119T	文件：40.87 Kbytes Page：3 Pages	1.9GHzAGCAMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UTC8119	文件：96.26 Kbytes Page：5 Pages	LINERINTERFRATEDCIRCUIT	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UZ8119	文件：91.22 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UZ8119	文件：101.87 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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