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RTAN230C	文件：129.34 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR MUTING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE FEATURE ◾ Built-in bias resistor(R1=2.2kΩ) ◾ Small package for easy mounting. ◾ High reverse hFE ◾ Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=10mV(TYP.)（@IC=10mA/IB=0.5mA） ◾ Low on Resistance Ron=0.70Ω(TYP.)（@VI=5V） APPLICATION muting circuit , switching circuit 文件：129.34 Kbytes 页数：4 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
RTAN230C	文件：300 bytes Page：1 Pages	带阻晶体管（PNP、NPN）	IDC	IDC
RTAN230M	文件：129.34 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR MUTING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE FEATURE ◾ Built-in bias resistor(R1=2.2kΩ) ◾ Small package for easy mounting. ◾ High reverse hFE ◾ Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=10mV(TYP.)（@IC=10mA/IB=0.5mA） ◾ Low on Resistance Ron=0.70Ω(TYP.)（@VI=5V） APPLICATION muting circuit , switching circuit 文件：129.34 Kbytes 页数：4 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
RTAN230U	文件：129.34 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR MUTING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE FEATURE ◾ Built-in bias resistor(R1=2.2kΩ) ◾ Small package for easy mounting. ◾ High reverse hFE ◾ Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=10mV(TYP.)（@IC=10mA/IB=0.5mA） ◾ Low on Resistance Ron=0.70Ω(TYP.)（@VI=5V） APPLICATION muting circuit , switching circuit 文件：129.34 Kbytes 页数：4 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
RTAN230X	文件：129.34 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR MUTING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE FEATURE ◾ Built-in bias resistor(R1=2.2kΩ) ◾ Small package for easy mounting. ◾ High reverse hFE ◾ Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=10mV(TYP.)（@IC=10mA/IB=0.5mA） ◾ Low on Resistance Ron=0.70Ω(TYP.)（@VI=5V） APPLICATION muting circuit , switching circuit 文件：129.34 Kbytes 页数：4 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA

详细参数

型号：
RTAN230C
制造商：
ISAHAYA
制造商全称：
Isahaya Electronics Corporation
功能描述：
TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR MUTING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

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