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RTAN230T2	文件：129.34 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR MUTING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=2.2kΩ) ◾Smallpackageforeasymounting. ◾HighreversehFE ◾Smallcollectortoemittersaturationvoltage. VCE(sat)=10mV(TYP.)（@IC=10mA/IB=0.5mA） ◾LowonResistance Ron=0.70Ω(TYP.)（@VI=5V） APPLICATION mutingcircuit,switchingcircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation Isahaya电子公司	ISAHAYA

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RTAN230T2

文件：129.34 Kbytes

Page：4 Pages

TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR MUTING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=2.2kΩ) ◾Smallpackageforeasymounting. ◾HighreversehFE ◾Smallcollectortoemittersaturationvoltage. VCE(sat)=10mV(TYP.)（@IC=10mA/IB=0.5mA） ◾LowonResistance Ron=0.70Ω(TYP.)（@VI=5V） APPLICATION mutingcircuit,switchingcircuit

ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation

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详细参数

型号：
RTAN230T2
制造商：
ISAHAYA
制造商全称：
Isahaya Electronics Corporation
功能描述：
TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR MUTING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

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