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CED6362	文件：436.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,20.7A,RDS(ON)=45mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=52mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM6362	文件：423.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,6A,RDS(ON)=43mW@VGS=10V. RDS(ON)=49mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU6362	文件：436.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,20.7A,RDS(ON)=45mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=52mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CHA6362-QXG	文件：1.05448 Mbytes Page：16 Pages	17.7-19.7GHzPowerAmplifier	UMS United Monolithic Semiconductors	UMS
DFD6362	文件：219.72 Kbytes Page：2 Pages	FullyAutomaticDicingSaw	DISCODISCO Corporation 迪斯科公司	DISCO
E6362	文件：1.16838 Mbytes Page：9 Pages	SBE®320/SBX®350ConnectorsUpto550Amps SBE®andSBX®connectorscanintegrateupto8auxiliarypower /signalcontactsalongwiththetwoprimarypowercircuits. Sequencingwithinauxiliarypositionsispossibleusingthe4pin lengthsavailableinthe1x4auxiliaryconnector.SBE®andSBX® offertouchsafehousings. •SilverPla	APP Anderson Power Products, Inc.	APP
EN6362QI	文件：1.70819 Mbytes Page：21 Pages	DC-DCBuckwithIntegratedInductor	AlteraAltera Corporation 阿尔特阿尔特拉公司	Altera
EPE6362G	文件：43.86 Kbytes Page：2 Pages	10Base-TInterfaceModulewithEnhancedCommonModeAttenuation	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
HL6362MG	文件：102.37 Kbytes Page：5 Pages	LowOperatingCurrentVisibleLaserDiode Description TheHL6362MG/63MGare0.63µmbandAlGaInPlaserdiodeswithamulti-quantumwell(MQW)structure.Theyare suitableaslightsourcesforlaserdisplay,laserscannersandopticalequipmentformeasurement. Features •Visiblelightoutput:640nmTyp •Singlelongitudinalmode	OPNEXT Opnext. Inc.	OPNEXT
L6362	文件：197.02 Kbytes Page：4 Pages	FullyintegrateddevicetransceiverIC Description TheL6362isamonolithicdualpushpullTransceiverfullycomplianttoPHY2(3wires)supportingCOM1(4.8kbaud),COM2(38.4kbaud)andCOM3(230.4kbaud)modes.C/QandI/Qoutputstagesareprogrammable:high-side,low-sideorpush-pull;alsocut-offcurrentandcutoffcurrentd	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
RT6362GSP
制造商：
Richtek USA Inc.
类别：
集成电路（IC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
功能：
降压
输出配置：
正
拓扑：
降压
输出类型：
可调式
输出数：
1
电压 - 输入（最小值）：
4V
电压 - 输入（最大值）：
60V
电压 - 输出（最小值/固定）：
0.8V
电压 - 输出（最大值）：
60V
电流 - 输出：
2.5A
频率 - 开关：
100kHz ~ 2.5MHz
同步整流器：
无
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOP-EP
描述：
IC BUCK ADJ 2.5A ASYNC PSOP-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RT6362GSP供应商更新时间2025-5-19 10:20:00

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