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CED6362	文件：436.45 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,20.7A,RDS(ON)=45mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=52mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
6362	文件：72.61 Kbytes Page：1 Pages	Component12X1PAIR	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
6362	文件：1.16838 Mbytes Page：9 Pages	SBE®320/SBX®350ConnectorsUpto550Amps SBE®andSBX®connectorscanintegrateupto8auxiliarypower /signalcontactsalongwiththetwoprimarypowercircuits. Sequencingwithinauxiliarypositionsispossibleusingthe4pin lengthsavailableinthe1x4auxiliaryconnector.SBE®andSBX® offertouchsafehousings. •SilverPla	APP Anderson Power Products, Inc.
6362-C	文件：64.8 Kbytes Page：2 Pages	438PCBBarrierTerminalStrip,600V	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
6362-M	文件：64.8 Kbytes Page：2 Pages	438PCBBarrierTerminalStrip,600V	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
6362-V	文件：64.8 Kbytes Page：2 Pages	438PCBBarrierTerminalStrip,600V	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
AN6362	文件：196.72 Kbytes Page：5 Pages	VTRCOLORAFCCIRCUIT	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
AN6362S	文件：196.72 Kbytes Page：5 Pages	VTRCOLORAFCCIRCUIT	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
AON6362	文件：238.07 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
CEA6362	文件：513.99 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,5.2A,RDS(ON)=46mW@VGS=10V. RDS(ON)=52mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-89package.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEM6362	文件：423.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,6A,RDS(ON)=43mW@VGS=10V. RDS(ON)=49mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEU6362	文件：436.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,20.7A,RDS(ON)=45mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=52mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CHA6362-QXG	文件：1.05448 Mbytes Page：16 Pages	17.7-19.7GHzPowerAmplifier	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors
DFD6362	文件：219.72 Kbytes Page：2 Pages	FullyAutomaticDicingSaw	DISCODISCO Corporation 迪斯科公司
E6362	文件：1.16838 Mbytes Page：9 Pages	SBE®320/SBX®350ConnectorsUpto550Amps SBE®andSBX®connectorscanintegrateupto8auxiliarypower /signalcontactsalongwiththetwoprimarypowercircuits. Sequencingwithinauxiliarypositionsispossibleusingthe4pin lengthsavailableinthe1x4auxiliaryconnector.SBE®andSBX® offertouchsafehousings. •SilverPla	APP Anderson Power Products, Inc.
EN6362QI	文件：1.70819 Mbytes Page：21 Pages	DC-DCBuckwithIntegratedInductor	AlteraAltera Corporation 阿尔特阿尔特拉公司
EPE6362G	文件：43.86 Kbytes Page：2 Pages	10Base-TInterfaceModulewithEnhancedCommonModeAttenuation	PCA PCA Electronics, Inc.
HL6362MG	文件：102.37 Kbytes Page：5 Pages	LowOperatingCurrentVisibleLaserDiode Description TheHL6362MG/63MGare0.63µmbandAlGaInPlaserdiodeswithamulti-quantumwell(MQW)structure.Theyare suitableaslightsourcesforlaserdisplay,laserscannersandopticalequipmentformeasurement. Features •Visiblelightoutput:640nmTyp •Singlelongitudinalmode	OPNEXTOpnext. Inc. Opnext. Inc.
L6362	文件：197.02 Kbytes Page：4 Pages	FullyintegrateddevicetransceiverIC Description TheL6362isamonolithicdualpushpullTransceiverfullycomplianttoPHY2(3wires)supportingCOM1(4.8kbaud),COM2(38.4kbaud)andCOM3(230.4kbaud)modes.C/QandI/Qoutputstagesareprogrammable:high-side,low-sideorpush-pull;alsocut-offcurrentandcutoffcurrentd	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6362A	文件：1.22942 Mbytes Page：37 Pages	IO-LinkcommunicationtransceiverdeviceIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CED6362供应商更新时间2024-4-27 15:36:00

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