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RT1E060XN数据手册ROHM中文资料规格书

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厂商型号

RT1E060XN

功能描述

4V Drive Nch MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-13 23:01:00

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RT1E060XN规格书详情

描述 Description

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

特性 Features

・4V驱动型 Nch 中功率MOSFET

应用 Application

·Coin Processing Machines
·POS (Point of Sales System)
·Portable Data Terminal
·Digital Multimeter: Handy Type
·智能电表
·有刷电机
·AC伺服系统
·Network Attached Storage
·DVR/DVS
·漏电断路器
·PLC(Programmable Logic Controller)
·太阳能发电逆变器
·Electric Bike
·X-ray Inspection Machine for Security
·监控摄像机
·Intercom / Baby Monitor
·Machine Vision Camera for Industrial
·Fingerprint Authentication Device
·无刷电机
·步进电机
·内置电脑
·Digital Multimeter: Bench Type
·Display for EMS
·监控摄像机(IP网络)

技术参数

  • 制造商编号

    :RT1E060XN

  • 生产厂家

    :ROHM

  • Package Code

    :TSST8

  • Package Size[mm]

    :3.0x1.9(t=0.8)

  • Applications

    :Switching

  • Number of terminal

    :8

  • Polarity

    :Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :30

  • Drain Current ID[A]

    :6.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

    :0.023

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

    :0.021

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

    :0.016

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.023

  • Total gate charge Qg[nC]

    :6.8

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :1.25

  • Drive Voltage[V]

    :4.0

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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