RT1A060AP数据手册ROHM中文资料规格书
RT1A060AP规格书详情
描述 Description
电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
特性 Features
・低电压1.5V驱动型 Pch MOSFET
技术参数
- 制造商编号
：RT1A060AP
- 生产厂家
：ROHM
- Package Code
：TSST8
- Package Size[mm]
：3.0x1.9(t=0.8)
- Applications
：Switching
- Number of terminal
：8
- Polarity
：Pch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：-12
- Drain Current ID[A]
：-6.0
- RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.)
：0.027
- RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)
：0.017
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)
：0.014
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.027
- Total gate charge Qg[nC]
：80.0
- Power Dissipation (PD)[W]
：1.25
- Drive Voltage[V]
：-1.5
- Mounting Style
：Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
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