RT1A060AP中文资料1.5V Drive Pch MOSFET数据手册ROHM规格书
RT1A060AP规格书详情
描述 Description
电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
特性 Features
・低电压1.5V驱动型 Pch MOSFET
技术参数
- 制造商编号
:RT1A060AP
- 生产厂家
:ROHM
- Package Code
:TSST8
- Package Size[mm]
:3.0x1.9(t=0.8)
- Applications
:Switching
- Number of terminal
:8
- Polarity
:Pch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
:-12
- Drain Current ID[A]
:-6.0
- RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.)
:0.027
- RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)
:0.017
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)
:0.014
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
:0.027
- Total gate charge Qg[nC]
:80.0
- Power Dissipation (PD)[W]
:1.25
- Drive Voltage[V]
:-1.5
- Mounting Style
:Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:150
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
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ROHM/罗姆 |
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TSST8 |
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ROHM/罗姆 |
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NA |
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ROHM |
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MITSUBISHI |
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ROHM/罗姆 |
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Rohm Semiconductor |
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ROHM/罗姆 |
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