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RT1E060XN	文件：1.14693 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：1.14693 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RT1E060XN	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。・4V驱动型 Nch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
ECJZEC1E060D	文件：860.9 Kbytes Page：12 Pages	Multilayer Ceramic Capacitors (For General Electronic Equipment) 文件：860.9 Kbytes 页数：12 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
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技术参数

Package Code：
TSST8
Package Size[mm]：
3.0x1.9(t=0.8)
Applications：
Switching
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
6.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)：
0.023
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)：
0.021
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)：
0.016
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.023
Total gate charge Qg[nC]：
6.8
Power Dissipation (PD)[W]：
1.25
Drive Voltage[V]：
4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多RT1E060XN供应商更新时间2025-10-11 16:33:00

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