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RT1E050RP数据手册ROHM中文资料规格书

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厂商型号

RT1E050RP

功能描述

4V Drive Pch MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-13 20:00:00

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RT1E050RP规格书详情

描述 Description

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

特性 Features

・4V驱动型 Pch 中功率MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :RT1E050RP

  • 生产厂家

    :ROHM

  • Package Code

    :TSST8

  • Package Size[mm]

    :3.0x1.9(t=0.8)

  • Applications

    :Power Supply

  • Number of terminal

    :8

  • Polarity

    :Pch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :-30

  • Drain Current ID[A]

    :-5.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

    :0.04

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

    :0.036

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

    :0.026

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.04

  • Total gate charge Qg[nC]

    :13.0

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :1.25

  • Drive Voltage[V]

    :-4.0

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

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