RT1E050RP中文资料4V Drive Pch MOSFET数据手册ROHM规格书
RT1E050RP规格书详情
描述 Description
电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
特性 Features
・4V驱动型 Pch 中功率MOSFET
技术参数
- 制造商编号
：RT1E050RP
- 生产厂家
：ROHM
- Package Code
：TSST8
- Package Size[mm]
：3.0x1.9(t=0.8)
- Applications
：Power Supply
- Number of terminal
：8
- Polarity
：Pch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：-30
- Drain Current ID[A]
：-5.0
- RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)
：0.04
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)
：0.036
- RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)
：0.026
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.04
- Total gate charge Qg[nC]
：13.0
- Power Dissipation (PD)[W]
：1.25
- Drive Voltage[V]
：-4.0
- Mounting Style
：Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
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NA/ |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM |
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ROHM/罗姆 |
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TSST8 |
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ROHM/罗姆 |
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