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RT1E050RP	文件：317.19 Kbytes Page：6 Pages	4V Drive Pch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：317.19 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RT1E050RP	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Pch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。・4V驱动型 Pch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
ECJZEC1E050	文件：252.67 Kbytes Page：12 Pages	Multilayer Ceramic Capacitors(For General Usage) 文件：252.67 Kbytes 页数：12 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
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技术参数

Package Code：
TSST8
Package Size[mm]：
3.0x1.9(t=0.8)
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-30
Drain Current ID[A]：
-5.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)：
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)：
0.036
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)：
0.026
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.04
Total gate charge Qg[nC]：
13.0
Power Dissipation (PD)[W]：
1.25
Drive Voltage[V]：
-4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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