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RSY160P05

4V Drive Pch MOSFET

•4V驱动型 Pch 功率MOSFET;

ROHM

罗姆

RSY160P05

丝印:TL;Package:TCPT;4V Drive Pch MOSFET

文件:178.99 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

RSD160P05

4V Drive Pch MOSFET

文件:1.22056 Mbytes 页数:7 Pages

ROHM

罗姆

RSD160P05

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= -16A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 50mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:276.37 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

RSD160P05FRA

4V Drive Pch MOSFET

文件:1.46316 Mbytes 页数:10 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • Status:

    新设计非推荐

  • 封装:

    TCPT3

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Package Size[mm]:

    8.0x6.6 (t=2.0)

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Pch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    -45

  • Drain Current ID[A]:

    -16.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.):

    0.05

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.045

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.035

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.05

  • Total gate charge Qg[nC]:

    17.0

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    20.0

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

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更多RSY160P05供应商 更新时间2026-2-4 11:00:00