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RSD160P05FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Pch MOSFET (支持 AEC-Q101) 车载MOSFET与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。 •4V驱动型 Pch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RSD160P05FRA	文件：1.46316 Mbytes Page：10 Pages	4V Drive Pch MOSFET 文件：1.46316 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSY160P05	文件：178.99 Kbytes Page：6 Pages	4V Drive Pch MOSFET 文件：178.99 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD160P05	文件：276.37 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -16A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 50mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：276.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD160P05	文件：1.22056 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Pch MOSFET 文件：1.22056 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Automotive
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-45
Drain Current ID[A]：
-16.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.05
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.045
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.035
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.05
Total gate charge Qg[nC]：
16.0
Power Dissipation (PD)[W]：
20.0
Drive Voltage[V]：
-4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RSD160P05FRA供应商更新时间2026-2-1 14:14:00

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