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RSR010N10FHA	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101) 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •4V驱动型 Nch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RSR010N10FHA	文件：1.24997 Mbytes Page：14 Pages	丝印：ZJ；Package：TSMT3；Nch 100V 1A Power MOSFET 文件：1.24997 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSR010N10HZG	文件：2.73037 Mbytes Page：15 Pages	Nch 100V 1A Small Signal MOSFET 文件：2.73037 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
GT010N10TL	文件：995.9 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT010N10TL uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：995.9 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT010N10TLA	文件：1.14237 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT010N10TLA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.14237 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT010N10TT	文件：821.3 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT010N10TT uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：821.3 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TSMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Automotive
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Package Code：
SOT-346T
JEITA Package：
SC-96
Package Size[mm]：
2.9x2.8 (t=1.0)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
100
Drain Current ID[A]：
1.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.41
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.37
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.41
Total gate charge Qg[nC]：
3.5
Power Dissipation (PD)[W]：
1.0
Drive Voltage[V]：
4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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