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RSR010N10HZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 100V 1A 车载小信号MOSFET RSR010N10HZG是低导通电阻MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性产品。非常适用于DC/DC转换器。 • Low on-resistance\n• Built-in G-S protection diode\n• Small surface mount package(TSMT3)\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
RSR010N10HZG	文件：2.73037 Mbytes Page：15 Pages	丝印：ZJ；Package：TSMT3；Nch 100V 1A Small Signal MOSFET 文件：2.73037 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
GT010N10TL	文件：995.9 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT010N10TL uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：995.9 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT010N10TLA	文件：1.14237 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT010N10TLA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.14237 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT010N10TT	文件：821.3 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT010N10TT uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：821.3 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

封装：
TSMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-346T
JEITA Package：
SC-96
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
100
Drain Current ID[A]：
1
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.41
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.37
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.41
Total gate charge Qg[nC]：
3.5
Power Dissipation (PD)[W]：
1
Drive Voltage[V]：
4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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