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GT010N10TL	文件：995.9 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT010N10；Package：TOLL-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT010N10TL uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：995.9 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT010N10TLA	文件：1.14237 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT010N10；Package：TOLL-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT010N10TLA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.14237 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT010N10TL	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT010N10TT	文件：821.3 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT010N10TT uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：821.3 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
MTE010N10FP	文件：303.07 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：303.07 Kbytes 页数：8 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
MTE010N10RFP	文件：411.95 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：411.95 Kbytes 页数：8 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC

技术参数

Package：
TOLL-8L
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
100
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
370
Pd(W)：
400
Vgs(th)max(V)：
4
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
1.15
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
1.35
Qg(nC)：
220
Qgs(nC)：
53
Qgd(nC)：
54
Ciss(pF)：
13200
Crss(pF)：
55
Technology：
SGT

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