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RSL020P03FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Pch MOSFET (支持 AEC-Q101) 车载 MOSFET\n\n与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。 •4V驱动型 Pch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RSL020P03FRA	文件：1.11686 Mbytes Page：8 Pages	丝印：SL；Package：TUMT6；4V Drive Pch MOSFET 文件：1.11686 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSR020P03	文件：483.92 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：483.92 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RSR020P03	文件：66.62 Kbytes Page：3 Pages	4V Drive Pch MOS FET 4V Drive Pch MOS FET Features 1) Low On-resistance 2) Space saving−small surface mount package (TSMT3) 3) 4V drive Applications Switching Structure Silicon P-channel MOS FET 文件：66.62 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TUMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-363T
JEITA Package：
SC-113DA
Number of terminal：
6
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-30
Drain Current ID[A]：
-2
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.14
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.125
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.08
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.14
Total gate charge Qg[nC]：
3.9
Power Dissipation (PD)[W]：
1
Drive Voltage[V]：
-4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=0.85)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多RSL020P03FRA供应商更新时间2025-10-12 14:14:00

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