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RSR020P03	文件：66.62 Kbytes Page：3 Pages	丝印：WZ；Package：TSMT3；4V Drive Pch MOS FET 4VDrivePchMOSFET Features 1)LowOn-resistance 2)Spacesaving−smallsurfacemountpackage(TSMT3) 3)4Vdrive Applications Switching Structure SiliconP-channelMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSR020P03	文件：483.92 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RSR020P03	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Pch MOSFET; •4V驱动型 Pch 中功率MOSFET; 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RRQ020P03	文件：483.79 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RRQ020P03	文件：2.50858 Mbytes Page：14 Pages	Pch-30V-2ASmallSignalMOSFET ■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSL020P03	文件：66.39 Kbytes Page：3 Pages	4VDrivePchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSL020P03FRA	文件：1.11686 Mbytes Page：8 Pages	4VDrivePchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TSMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-346T
JEITA Package：
SC-96
Package Size[mm]：
2.9x2.8 (t=1.0)
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-30
Drain Current ID[A]：
-2.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.15
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.135
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.085
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.15
Total gate charge Qg[nC]：
4.3
Power Dissipation (PD)[W]：
1.0
Drive Voltage[V]：
-4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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