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RSD140P06FRA	文件：1.48123 Mbytes Page：10 Pages	4V Drive Pch MOSFET 文件：1.48123 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD150N06	文件：2.38027 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.38027 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
RSD150N06	文件：1.17328 Mbytes Page：7 Pages	丝印：TL；Package：SOT-428；4V Drive Nch MOSFET 文件：1.17328 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD150N06FRA	文件：1.03773 Mbytes Page：10 Pages	4V Drive Nch MOSFET 文件：1.03773 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD160P05	文件：1.22056 Mbytes Page：7 Pages	丝印：TL；Package：SOT-428；4V Drive Pch MOSFET 文件：1.22056 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD160P05FRA	文件：1.46316 Mbytes Page：10 Pages	4V Drive Pch MOSFET 文件：1.46316 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD175N10	文件：2.85468 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：2.85468 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
RSD175N10	文件：1.16824 Mbytes Page：7 Pages	丝印：TL；Package：SOT-428；4V Drive Nch MOSFET 文件：1.16824 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD175N10FRA	文件：1.42174 Mbytes Page：10 Pages	4V Drive Nch MOSFET 文件：1.42174 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD1QP	文件：1.55989 Mbytes Page：21 Pages	RSD1 Remote Display 文件：1.55989 Mbytes 页数：21 Pages	BANNER 邦纳电子	BANNER

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
100
Drain Current ID[A]：
10.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.105
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.095
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.105
Total gate charge Qg[nC]：
18.0
Power Dissipation (PD)[W]：
20.0
Drive Voltage[V]：
4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	RSD140P06TL	ROHM	25+	TO252	225	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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