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RSD100N10FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101); •4V驱动型 Nch 功率MOSFET; 车载MOSFET与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSD100N10FRA	文件：1.44014 Mbytes Page：10 Pages	4V Drive Nch MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SK100N10PP	文件：1.11216 Mbytes Page：5 Pages	N-Ch100VFastSwitchingMOSFETs	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
STRH100N10	文件：474.89 Kbytes Page：17 Pages	Rad-Hard100V,48AN-channelPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SW100N10	文件：678.32 Kbytes Page：5 Pages	N-channelTO-220MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Automotive
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
100
Drain Current ID[A]：
10.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.105
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.095
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.105
Total gate charge Qg[nC]：
18.0
Power Dissipation (PD)[W]：
20.0
Drive Voltage[V]：
4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RSD100N10FRA供应商更新时间2025-7-30 19:27:00

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