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RS65R600D

650V 超结MOS

RS65R600D是瑞森采用先进的超结工艺制造的N沟道多层外延超结场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品具有极低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源,电源适配器、LED驱动等领域。 VDS =650V,ID =7.3A\nRDS(ON) <600mΩ @ VGS = 10V\n超结工艺\n极低的导通电阻\n100%的UIS测试;

REASUNOS

瑞森半导体

TPA65R600C

650V Super-Junction Power MOSFET

文件:1.28371 Mbytes 页数:12 Pages

WUMC

紫光国微

TPA65R600C

650V Super-Junction Power MOSFET

文件:1.28371 Mbytes 页数:12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R600C

650V Super-Junction Power MOSFET

文件:1.28371 Mbytes 页数:12 Pages

WUMC

紫光国微

技术参数

  • ID(A):

    7.3

  • VDSS(V):

    650

  • RDS(on) Typ(mΩ):

    520

  • RDS(on) Max(mΩ):

    600

  • Application:

    LED驱动/PFC线路/开关电源/不断电供应系统UPS/新能源电力设备

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更多RS65R600D供应商 更新时间2026-1-7 11:06:00