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TPA65R600C	文件：1.28371 Mbytes Page：12 Pages	650V Super-Junction Power MOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司	WUMC
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HCS65R600T	文件：203 Kbytes Page：7 Pages	Extremelylowswitchingloss	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCU65R600S	文件：265.75 Kbytes Page：8 Pages	650VN-ChannelSuperJunctionMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
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MMF65R600QTH	文件：322.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TPA65R600C供应商更新时间2024-5-24 11:00:00

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