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HCD65R600S	文件：265.75 Kbytes Page：8 Pages	650V N-Channel Super Junction MOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCD65R600S	文件：265.75 Kbytes Page：8 Pages	Superior Avalanche Rugged Technology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCD65R600T	文件：300.07 Kbytes Page：8 Pages	Extremelylowswitchingloss	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCP65R600S	文件：176.5 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCS65R600S	文件：166.87 Kbytes Page：7 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCS65R600T	文件：203 Kbytes Page：7 Pages	Extremelylowswitchingloss	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCU65R600S	文件：265.75 Kbytes Page：8 Pages	650VN-ChannelSuperJunctionMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCU65R600T	文件：300.07 Kbytes Page：8 Pages	Extremelylowswitchingloss	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
MMD65R600QRH	文件：1.41906 Mbytes Page：10 Pages	650V0.60ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMD65R600QRH	文件：353.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

更多HCD65R600S供应商更新时间2025-7-21 9:30:00