RS65R600D中文资料650V 超结MOS数据手册REASUNOS规格书
RS65R600D规格书详情
描述 Description
RS65R600D是瑞森采用先进的超结工艺制造的N沟道多层外延超结场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品具有极低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源,电源适配器、LED驱动等领域。
特性 Features
VDS =650V,ID =7.3A
RDS(ON) <600mΩ @ VGS = 10V
超结工艺
极低的导通电阻
100%的UIS测试
技术参数
- 制造商编号
:RS65R600D
- 生产厂家
:REASUNOS
- ID(A)
:7.3
- VDSS(V)
:650
- RDS(on) Typ(mΩ)
:520
- RDS(on) Max(mΩ)
:600
- Application
:LED驱动/PFC线路/开关电源/不断电供应系统UPS/新能源电力设备
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CITIZEN |
24+ |
SMD |
880000 |
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CITIZEN原装 |
25+ |
SMD |
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24+ |
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CITIZEN原装 |
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RS PRO |
22+ |
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CITIZEN |
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CITIZEN |
25+ |
SMD |
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