RS1E350BN数据手册ROHM中文资料规格书
RS1E350BN规格书详情
描述 Description
RS1E350BN是低导通电阻、小型大功率封装的MOSFET。
特性 Features
• Low on - resistance
• High Power Package (HSOP8)
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Halogen Free
• 100% Rg and UIS Tested
技术参数
- 制造商编号
：RS1E350BN
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：HSOP8 (Single)
- 包装数量
：2500
- 最小独立包装数量
：2500
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Package Code
：HSOP8S (5x6)
- Applications
：Switching
- Number of terminal
：8
- Polarity
：Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：30
- Drain Current ID[A]
：80
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
：0.0018
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
：0.0012
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.0018
- Total gate charge Qg[nC]
：95
- Power Dissipation (PD)[W]
：35
- Drive Voltage[V]
：4.5
- Mounting Style
：Surface mount
- Bare Die Part Number
：Available: K4007
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：4.9x6 (t=1.1)
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