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RS1E200BN数据手册ROHM中文资料规格书

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厂商型号

RS1E200BN

功能描述

Nch 30V 68A 功率MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-16 15:28:00

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RS1E200BN规格书详情

描述 Description

RS1E200BN是适用于小型大功率封装的开关用途的中功率MOSFET。

特性 Features

• Low on - resistance.
• High Power small mold Package (HSOP8).
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
• Halogen Free

技术参数

  • 制造商编号

    :RS1E200BN

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :HSOP8 (Single)

  • 包装数量

    :2500

  • 最小独立包装数量

    :2500

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Package Code

    :HSOP8S (5x6)

  • Applications

    :Switching

  • Number of terminal

    :8

  • Polarity

    :Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :30

  • Drain Current ID[A]

    :68

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

    :0.0038

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

    :0.0028

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.0038

  • Total gate charge Qg[nC]

    :29

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :25

  • Drive Voltage[V]

    :4.5

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Bare Die Part Number

    :Available: K4010

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

  • Package Size [mm]

    :5x6 (t=1.1)

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