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RS1E200AH数据手册ROHM中文资料规格书

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厂商型号

RS1E200AH

功能描述

Nch 30V 20A 功率MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-16 15:28:00

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RS1E200AH规格书详情

特性 Features

·Low on - resistance
·High Power Package (HSOP8)
·Pb-free lead plating; RoHS compliant
·Halogen Free
·100% Rg and UIS Tested

技术参数

  • 制造商编号

    :RS1E200AH

  • 生产厂家

    :ROHM

  • Package Code

    :HSOP8S(5x6)

  • Package Size[mm]

    :5.0x6.0(t=1.0)

  • Applications

    :Power Supply

  • Number of terminal

    :8

  • Polarity

    :Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :30

  • Drain Current ID[A]

    :20.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

    :0.0051

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

    :0.043

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.0051

  • Total gate charge Qg[nC]

    :25.0

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :3.0

  • Drive Voltage[V]

    :4.5

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

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