RS1E130GN数据手册ROHM中文资料规格书
RS1E130GN规格书详情
描述 Description
场效应晶体管MOSFET。通过采用微小工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有可实现小型、高功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。
特性 Features
• Low on - resistance
• High Power Package (HSOP8)
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Halogen Free
• 100% Rg and UIS Tested
技术参数
- 制造商编号
：RS1E130GN
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：HSOP8 (Single)
- 包装数量
：2500
- 最小独立包装数量
：2500
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Package Code
：HSOP8S (5x6)
- Applications
：Power Supply
- Number of terminal
：8
- Polarity
：Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：30
- Drain Current ID[A]
：35
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
：0.0117
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
：0.0089
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.0117
- Total gate charge Qg[nC]
：3.9
- Power Dissipation (PD)[W]
：22
- Drive Voltage[V]
：4.5
- Mounting Style
：Surface mount
- Bare Die Part Number
：Available: K4504
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：5x6 (t=1.1)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
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QFN8 |
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