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RQA0002DNSTB-E	文件：195.74 Kbytes Page：18 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • High output power, High gain, High efficiency Pout = +39.6 dBm, Linear gain = 20 dB, PAE = 68 (f = 520 MHz) • Small outline package (WSON0504-2: 5.0 × 4.0 × 0.8 mm) 文件：195.74 Kbytes 页数：18 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RS0002H	文件：64.629 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY RECTIFIER 文件：64.629 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI
RU0002C	文件：241.73 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER 文件：241.73 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI
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更多RQA0002DNSTB-E供应商更新时间2025-12-3 15:07:00