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RQA0003DNS	文件：243.25 Kbytes Page：13 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +36 dBm, Linear Gain = 19 dB, PAE = 65 (f = 520 MHz) • Small Outline Package (WSON0303-2: 3.0 × 3.0 × 0.8mm) 文件：243.25 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQA0003DNSTR-E	文件：243.25 Kbytes Page：13 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +36 dBm, Linear Gain = 19 dB, PAE = 65 (f = 520 MHz) • Small Outline Package (WSON0303-2: 3.0 × 3.0 × 0.8mm) 文件：243.25 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQA0003DNS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOS FET • High Output Power, High Gain, High Efficiency\n Pout = +36 dBm, Linear Gain = 19 dB, PAE = 65% (f = 520 MHz)\n• Small Outline Package (WSON0303-2: 3.0 × 3.0 × 0.8mm);	Renesas 瑞萨	Renesas
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