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RQA0004LXTL-E	文件：163.44 Kbytes Page：13 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +29 dBm, Linear Gain = 21 dB, PAE = 68 (f = 520 MHz) • Compact package capable of surface mounting 文件：163.44 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQA0004PXDQS	文件：162.8 Kbytes Page：13 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • High Output Power, High Efficiency Pout = +29.7 dBm, PAE = 68 (f = 520 MHz) • Compact package capable of surface mounting 文件：162.8 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQA0004PXDQS	文件：184.47 Kbytes Page：19 Pages	Silicon N-Channel MOS FET 文件：184.47 Kbytes 页数：19 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQA0004PXTL-E	文件：162.8 Kbytes Page：13 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • High Output Power, High Efficiency Pout = +29.7 dBm, PAE = 68 (f = 520 MHz) • Compact package capable of surface mounting 文件：162.8 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更多RQA0004LXTL-E供应商更新时间2026-1-21 18:07:00