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RQ6C065BC	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -20V -6.5A 中功率MOSFET RQ6C065BC是小型大功率封装（HSMT8）的面向开关用途的MOSFET。 • Low on-resistance.\n• High Power small mold Package(TSMT6).\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant\n• Halogen Free.;	ROHM 罗姆	ROHM
RQ6C065BC	文件：2.50968 Mbytes Page：15 Pages	Pch -20V -6.5A Middle Power MOSFET 文件：2.50968 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
STPSC6C065-Y	文件：182.38 Kbytes Page：9 Pages	Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode Features  AEC-Q101 qualified  No or negligible reverse recovery  Switching behavior independent of temperature  Dedicated to PFC applications  High forward surge capability  PPAP capable  ECOPACK®2 compliant component Description The SiC diode is an ultrahigh performance power 文件：182.38 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
RQA0004LXAQS	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT89	RENESAS 瑞萨上传：深圳市上美通科技有限公司	RENESAS
RQA0004LXAQS#H1	文件：0 bytes Page：0 Pages		RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

技术参数

封装：
TSMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-457T
JEITA Package：
SC-95
Applications：
Switching
Number of terminal：
6
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-20
Drain Current ID[A]：
-6.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)：
0.025
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.0186
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0149
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.025
Total gate charge Qg[nC]：
22
Power Dissipation (PD)[W]：
1.25
Drive Voltage[V]：
1.8
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1)

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更多RQ6C065BC供应商更新时间2025-12-16 8:11:00

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