Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

Features  AEC-Q101 qualified  No or negligible reverse recovery  Switching behavior independent of temperature  Dedicated to PFC applications  High forward surge capability  PPAP capable  ECOPACK®2 compliant component Description The SiC diode is an ultrahigh performance power

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

汽车用650 V、6 A碳化硅功率肖特基二极管

碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n ST碳化硅（SiC）二极管特别适用作升压二极管，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 符合AEC-Q101标准 \n• 无反向恢复，或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 专为PFC应用设计 \n• 高耐正向浪涌电流能力 \n• 具有PPAP功能（符合生产件批准程序） \n• ECOPACK®2 兼容组件;

ST

意法半导体

Pch -20V -6.5A Middle Power MOSFET

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ROHM

罗姆

ST
TO-92

ST

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Viking光颉
TO-263

Viking光颉

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