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QPA2966DEVB	文件：660.36 Kbytes Page：27 Pages	2–20GHz20WattGaNAmplifier KeyFeatures •FrequencyRange:2–20GHz •PSAT(PIN=31dBm):44dBm •PAE(PIN=31dBm):25% •PowerGain(PIN=31dBm):13dB •SmallSignalGain:19dB •Bias:VD=22V,IDQ=3360mA •DieDimensions:3.69x6.99x0.10mm	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
QPA2966EVB	文件：2.082659 Mbytes Page：26 Pages	2–18GHz20WattGaNAmplifier KeyFeatures •FrequencyRange:2–18GHz •PSAT(PIN=31dBm):43dBm •PAE(PIN=31dBm):20% •PowerGain(PIN=31dBm):12dB •SmallSignalGain:19dB •Bias:CW,VD=22V,IDQ=3360mA •PackageDimensions:0.6x0.6x0.205in ,Applications •CommunicationSystems •	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
RN2966	文件：271.14 Kbytes Page：7 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2966CT	文件：219.26 Kbytes Page：8 Pages	SwitchingApplicationsInverterCircuitApplicationsInterfaceCircuitApplicationsDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2966FS	文件：178.1 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
S2966	文件：122.4 Kbytes Page：1 Pages	18watt;pin-basedCompactFluorescent;4100K;82CRI;2G11base	SATCO Satco Products, Inc.	SATCO
TZ2966C	文件：205.43 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.0x1.620.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage MoistureSensitivityLevel(MSL):Level-1 DescriptionandApplications: Surfacemount2.0mmx1.6mmcrystalunitforuseinwireless	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW

详细参数

型号：
RN2966FE
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Silicon PNP Epitaxial Type(PCT Process)(Bias Resistor Built-in Transistor)

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