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K2966M	文件：90.16 Kbytes Page：5 Pages	HIGHRELIABILITYFORLOWCOST FEATURES -HIGHRELIABILITYFORLOWCOST -WIDEFREQUENCYRANGE -EXCELLENTATTENUATIONBEHAVIOUR	PETERMANN PETERMANN-TECHNIK	PETERMANN
LP2966	文件：1.32589 Mbytes Page：21 Pages	Dual150mAUltraLow-DropoutRegulator	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LP2966	文件：1.35561 Mbytes Page：22 Pages	Dual150mAUltraLow-DropoutRegulator	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LP2966	文件：456.89 Kbytes Page：15 Pages	Dual150mAUltraLow-DropoutRegulator	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LP2966EP	文件：516.07 Kbytes Page：15 Pages	EnhancedPlasticDual150mAUltraLow-DropoutRegulator	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LTC2966	文件：258.23 Kbytes Page：20 Pages	100VMicropowerDualVoltageMonitor	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
NTE2966	文件：21.18 Kbytes Page：2 Pages	MOSFETN-Channel,EnhancementModeHighSpeedSwitch Applications: ●MotorControl ●LampControl ●SolenoidControl ●DC–DCConverter	NTE NTE Electronics	NTE
QPA2966	文件：2.082659 Mbytes Page：26 Pages	2–18GHz20WattGaNAmplifier KeyFeatures •FrequencyRange:2–18GHz •PSAT(PIN=31dBm):43dBm •PAE(PIN=31dBm):20% •PowerGain(PIN=31dBm):12dB •SmallSignalGain:19dB •Bias:CW,VD=22V,IDQ=3360mA •PackageDimensions:0.6x0.6x0.205in ,Applications •CommunicationSystems •	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
QPA2966D	文件：660.36 Kbytes Page：27 Pages	2–20GHz20WattGaNAmplifier KeyFeatures •FrequencyRange:2–20GHz •PSAT(PIN=31dBm):44dBm •PAE(PIN=31dBm):25% •PowerGain(PIN=31dBm):13dB •SmallSignalGain:19dB •Bias:VD=22V,IDQ=3360mA •DieDimensions:3.69x6.99x0.10mm	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
QPA2966DEVB	文件：660.36 Kbytes Page：27 Pages	2–20GHz20WattGaNAmplifier KeyFeatures •FrequencyRange:2–20GHz •PSAT(PIN=31dBm):44dBm •PAE(PIN=31dBm):25% •PowerGain(PIN=31dBm):13dB •SmallSignalGain:19dB •Bias:VD=22V,IDQ=3360mA •DieDimensions:3.69x6.99x0.10mm	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO

详细参数

型号：
RN2966FE
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Silicon PNP Epitaxial Type(PCT Process)(Bias Resistor Built-in Transistor)

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