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RN2113分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

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厂商型号

RN2113

参数属性

RN2113 封装/外壳为SC-75,SOT-416;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,

功能描述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

封装外壳

SC-75,SOT-416

文件大小

185.12 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2026-4-18 9:10:00

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晶体管资料

  • 型号:

    RN2113

  • 别名:

    RN2113三极管、RN2113晶体管、RN2113晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    DTA144TE,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.4

产品属性

  • 产品编号:

    RN2113,LXHF(CT

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 250µA,5mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-75,SOT-416

  • 供应商器件封装:

    SSM

  • 描述:

    AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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