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BC2102W	文件：623.93 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
C2102A	文件：80.11 Kbytes Page：1 Pages	HOOK-UPWIRE	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
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CDCLVP2102RGTT	文件：1.16863 Mbytes Page：30 Pages	Four-LVPECLOutput,High-PerformanceClockBuffer	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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CH2102S	文件：114.04 Kbytes Page：1 Pages	2.00mm(.079)SINGLEROWDUALBODYSURFACEBOARDMOUNTPINHEADER	CVILUXCvilux Corporation 瀚荃瀚荃股份有限公司	CVILUX
CJ2102	文件：638.8 Kbytes Page：2 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJ2102	文件：1.59789 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CL2102	文件：49.63 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION CL2102isplanartransistoruseforinAFmediumpowerdriversandoutputandswitchingapplications.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
RN2102,LXHF(CT
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
SSM
描述：
AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,

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更多RN2102,LXHF(CT供应商更新时间2024-6-15 14:00:00

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