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RN2111MFV

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

RN2111MFV,L3F

Package:SOT-723;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

RSZ-2111

1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput

RECOM

Recom International Power

RSZ-2111HP

1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput

RECOM

Recom International Power

S-2111A

ROTARYCODEDSWITCHES

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

S-2111AW

ROTARYCODEDSWITCHES

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

SA2111C

3VAM/FMMPXTUNERIC(FORMECHANICALTUNING)

SILANSilan Microelectronics Joint-stock

士兰微杭州士兰微电子股份有限公司

SA2111CA

3VAM/FMMPXTUNERIC(FORMECHANICALTUNING)

SILANSilan Microelectronics Joint-stock

士兰微杭州士兰微电子股份有限公司

SA2111CB

3VAM/FMMPXTUNERIC(FORMECHANICALTUNING)

SILANSilan Microelectronics Joint-stock

士兰微杭州士兰微电子股份有限公司

SA2111CS

3VAM/FMMPXTUNERIC(FORMECHANICALTUNING)

SILANSilan Microelectronics Joint-stock

士兰微杭州士兰微电子股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    RN2111MFV

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 -100mA -50volts 10Kohms

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RN2111MFV供应商 更新时间2025-7-24 15:40:00