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IGW75N60T	文件：403.33 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IGW75N60T	文件：289.57 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSwitchingLosses ·LowVCE(ON) ·UltraLowLeakageCurrent APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·IndustrialDrives ·SolarInverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IKFW75N60ET	文件：2.01717 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTMIGBTcopackedwithRapid1fastandsoftantiparalleldiodeinfullyisolatedpackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW75N60T	文件：333.18 Kbytes Page：3 Pages	TrenchgateField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=75A ·HighSpeedSwitching ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·IndustrialDrives ·UPS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IKW75N60T	文件：411.41 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOP™andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode ●VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ●MaximumJunctionTemperature175°C ●Shortcircuitwithstandtime5s ●PositivetemperaturecoefficientinVCE(sat) ●verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW75N60T	文件：33.13 Kbytes Page：1 Pages	MaterialContentDataSheet	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW75N60T	文件：411.47 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW75N60TA	文件：1.00395 Mbytes Page：13 Pages	DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW75N60TFK	文件：330.08 Kbytes Page：3 Pages	TrenchgateField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=75A ·HighSpeedSwitching ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·IndustrialDrives ·SolarInverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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