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IKW75N60T分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IKW75N60T

参数属性

IKW75N60T 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3

功能描述

Trench gate Field-Stop IGBT

封装外壳

TO-247-3

文件大小

333.18 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

网址

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更新时间

2025-10-20 12:00:00

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IKW75N60T规格书详情

DESCRIPTION

· Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.0V@IC=75A

· High Speed Switching

· Low Power Loss

APPLICATIONS

· Industrial Power Supplies

· Industrial Drives

· UPS

产品属性

  • 产品编号:

    IKW75N60TFKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,75A

  • 开关能量:

    4.5mJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    33ns/330ns

  • 测试条件:

    400V,75A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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