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RM21BWRA-15P	文件：795.01 Kbytes Page：15 Pages	RM SERIES SHELL SIZE 12-31mm CIRCULAR CONNECTORS RM SERIES SHELL SIZE 12-31mm CIRCULAR CONNECTORS 文件：795.01 Kbytes 页数：15 Pages	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
RM21BWRA-15S	文件：795.01 Kbytes Page：15 Pages	RM SERIES SHELL SIZE 12-31mm CIRCULAR CONNECTORS RM SERIES SHELL SIZE 12-31mm CIRCULAR CONNECTORS 文件：795.01 Kbytes 页数：15 Pages	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
RM21N650HD	文件：657.27 Kbytes Page：10 Pages	丝印：21N650；Package：TO-263；N-Channel Super Junction Power MOSFET III Features New technology for high voltage device Low on-resistance and low conduction losses. Small package Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements. 100% Avalanche Tested ROHS compliant 文件：657.27 Kbytes 页数：10 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM21N650T	文件：1.27845 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel Super Junction Power MOSFET III Features New technology for high voltage device. Low on-resistance and low conduction losses Small package. Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements 100% Avalanche Tested OHS compliant 文件：1.27845 Mbytes 页数：9 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM21N650T2	文件：657.27 Kbytes Page：10 Pages	丝印：21N650；Package：TO-220；N-Channel Super Junction Power MOSFET III Features New technology for high voltage device Low on-resistance and low conduction losses. Small package Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements. 100% Avalanche Tested ROHS compliant 文件：657.27 Kbytes 页数：10 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM21N650T2	文件：1.27845 Mbytes Page：9 Pages	丝印：21N650；Package：TO-220；N-Channel Super Junction Power MOSFET III Features New technology for high voltage device. Low on-resistance and low conduction losses Small package. Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements 100% Avalanche Tested OHS compliant 文件：1.27845 Mbytes 页数：9 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM21N650TI	文件：657.27 Kbytes Page：10 Pages	丝印：21N650；Package：TO-220F；N-Channel Super Junction Power MOSFET III Features New technology for high voltage device Low on-resistance and low conduction losses. Small package Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements. 100% Avalanche Tested ROHS compliant 文件：657.27 Kbytes 页数：10 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM21N650TI	文件：1.27845 Mbytes Page：9 Pages	丝印：21N650；Package：TO-220F；N-Channel Super Junction Power MOSFET III Features New technology for high voltage device. Low on-resistance and low conduction losses Small package. Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements 100% Avalanche Tested OHS compliant 文件：1.27845 Mbytes 页数：9 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM21QJA-15P	文件：795.01 Kbytes Page：15 Pages	RM SERIES SHELL SIZE 12-31mm CIRCULAR CONNECTORS RM SERIES SHELL SIZE 12-31mm CIRCULAR CONNECTORS 文件：795.01 Kbytes 页数：15 Pages	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
RM21QJA-15S	文件：795.01 Kbytes Page：15 Pages	RM SERIES SHELL SIZE 12-31mm CIRCULAR CONNECTORS RM SERIES SHELL SIZE 12-31mm CIRCULAR CONNECTORS 文件：795.01 Kbytes 页数：15 Pages	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE

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技术参数

IF(AV)@TL(℃)：
70
VRRM(V)：
400
IFRM(A)：
15
IFSM(A)：
100
VF@IF(V)：
0.91
VF@IF(A)：
1.5
IR(mA)：
10

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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