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RM21N650T2中文资料丽正国际数据手册PDF规格书

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厂商型号

RM21N650T2

功能描述

N-Channel Super Junction Power MOSFET III

丝印标识

21N650

封装外壳

TO-220

文件大小

1.27845 Mbytes

页面数量

9

生产厂商

RECTRON

中文名称

丽正国际

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-12 16:32:00

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RM21N650T2规格书详情

特性 Features

New technology for high voltage device.

Low on-resistance and low conduction losses

Small package.

Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements

100% Avalanche Tested

OHS compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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