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RM18N200T2

丝印:18N200;Package:TO-220;N-Channel Super Junction Power MOSFET

Features New technology for high voltage device Low on-resistance and low conduction losses Small package Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements 100% Avalanche Tested ROHS compliant Halogen-free VDS =200V , ID =18A , VGS =10V , RDS(on)

文件:220.28 Kbytes 页数:8 Pages

RECTRON

丽正国际

RM18N200T2

MOSFET

Rectron

丽正国际

RM250UZ-24

模块

MITSUBISH

RM412-086-192-9500-918

N/A

RM412-220-192-9501-919

coc

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更多RM18N200T2供应商 更新时间2025-12-9 14:01:00