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RM18N200T2中文资料MOSFET数据手册Rectron规格书
技术参数
- 制造商编号
：RM18N200T2
- 生产厂家
：Rectron
- Id @ 25C (A) :
：18 A
- Rds-on (typ) (mOhms) :
：95 mOhms
- Total Gate Charge (nQ) typ :
：9.8 nQ
- Maximum Power Dissipation (W) :
：88 W
- Vgs(th) (typ) :
：2.1 V
- Input Capacitance (Ciss) :
：491 pF
- Polarity :
：N-Channel
- Mounting Style :
：Through Hole
- Package / Case :
：TO-220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PACCOM |
23+ |
NA |
5861 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
LAIRDCONNECTIVITY |
21+ |
NA |
1773 |
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23+ |
Hockey Puck |
436 |
深圳现货库存/下单即发/原装正品 |
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24+ |
5000 |
公司存货 |
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LAIRDTECHNOLOGIES |
2447 |
SMD |
100500 |
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Souriau |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
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询价 | ||
CARLO GAVAZZI |
2450+ |
SOP |
6540 |
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SOURIAU |
25+ |
连接器 |
2963 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-220 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
FUJICON |
2023+ |
SMD |
2000 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 |
