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RM10N100S8	文件：425.06 Kbytes Page：7 Pages	丝印：10N100；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The RM10N100S8 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =10A RDS(ON) 文件：425.06 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正	RECTRON
RM10N100S8	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正	Rectron
RM15TB-H	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	MITSUBISHI 三菱电机上传：深圳市毅创腾电子科技有限公司	MITSUBISHI
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