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RM10N100S8中文资料丽正国际数据手册PDF规格书

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厂商型号

RM10N100S8

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

10N100

封装外壳

SOP-8

文件大小

425.06 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

RECTRON

中文名称

丽正国际

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-26 17:37:00

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RM10N100S8规格书详情

描述 Description

The RM10N100S8 uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Features

VDS = 100V,ID =10A

RDS(ON) < 14mΩ @ VGS=10V

RDS(ON) < 21mΩ @ VGS=4.5V

Special process technology for high ESD capability

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Application

DC/DC Primary Side Switch

Telecom/Server

Synchronous Rectification

Halogen-free

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MITSUBISHI
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